7812晶体管 厂家供应
直流参数
1：共射直流放大系数
2：共基直流放大系数
当 可忽略时， 。
3：间的反向电流
是发射开路时，集电结的反向饱和电流。
是基开路时，集电与发射间的穿透电流， 。
同一型号的管子，反向电流愈小，性能愈稳定。
选用管子时， 与 应尽量小。硅管比锗管的间反向电流小2 3个数量级，因此温度稳定性也比锗管好。
交流参数——是描述晶体管对于动态信号的性能指标
1：共射交流电流放大系数
（ 常量）
选用管子时， 应适中，太小则放大能力不强，太大则温度稳定性差。
2：共基交流电流放大系数
（ 常量）
在近似分析中可以认为 ， 。
3：特征频率
由于晶体管中PN结的结电容存在， 是所加信号频率的函数。信号频率高到一定程度时，集电电流与基电流之比不但数值下降，且产生相移。使共射电流放大系数的数值下降到1的信号频率称为特征频率 。
限参数——是指为使晶体管安全工作，对它的电压、电流和功率损耗的限制
1：较大集电耗散功率
决定于晶体管的温升。当硅管的温度大于150℃、锗管的温度大于70℃时，管子特性明显变坏，甚至烧坏。对于确定型号的晶体管， 常数。对于大功率管的 ，应特别注意条件，如对散热片的规格要求。当散热条件不满足要求时，允许的较大功耗将小于 。
2：较大集电电流
在相当大的范围内 值基本不变，但当 的数值大到一定程度时， 值将减小。使 值明显减小的 即为 。对于合金型小功率管，定义当 时，由 得出的 即为 。
实际上，当 时，晶体管不一定损坏，但 明显下降。
3：间反向击穿电压
晶体管的某一电开路时，另外两个电间所允许加的较高反向电压称为间反向击穿电压，过此值时，管子会发生击穿现象。
是发射开路时，集电—基间的反向击穿电压，这是集电结所允许加的较高反向电压。
是基开路时，集电—发射间的反向击穿电压，此时集电结承受反向电压。
是集电开路时，发射—基间的反向击穿电压，这是发射结所允许加的较高反向电压。
对于不同型号的管子， 为几十伏到上千伏， ，而 只有1伏以下到几伏。此外，集电—发射间的击穿电压还有：b—e间，接电阻时的 ，短路时的 ，接反向电压时的 等。
在组成晶体管电路时，应根据需求选择管子型号。例如用于组成音频放大电路，则应选低频管；用于组成宽频带放大电路，则应选高频管或高频管；用于组成数字电路，则应选开关管；若管子温升较高或反向电流要求小，则应选用硅管；若要求b—e间导通电压低，则应选用锗管。而且，为防止晶体管在使用中损坏，必须使之工作在安全区内，同时b—e间的反向电压要小于 ；对于功率管，还必须满足散热条件。
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关键词： 7812晶体管 适配器电源芯片 AC-DC电源芯片
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