MOS场效应管检测方法

MOS场效应管即金属-氧化物-半导体型场效应管，英文缩写为MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistor，即金属氧化物合成半导体的场效应晶体管），属于绝缘栅型。

在金属栅与沟道之间有一层二氧化硅绝缘层，因此具有很高的输入电阻（高可达1015Ω）。

它也分N沟道管和P沟道管。通常是将衬底（基板）与源S接在一起。 

MOS场效应管检测方法：

1．准备工作

测量之前，先把人体对地短路后，才能摸触MOSFET的管脚。

好在手腕上接一条导线与大地连通，使人体与大地保持等电位。再把管脚分开，然后拆掉导线。

将万用表拨于R×100档，首先确定栅。

若某脚与其它脚的电阻都是无穷大，证明此脚就是栅G。

交换表笔重测量，S-D之间的电阻值应为几百欧至几千欧，其中阻值较小的那一次，黑表笔接的为D，红表笔接的是S。

日本生产的3SK系列产品，S与管壳接通，据此很容易确定S。

将G悬空，黑表笔接D，红表笔接S，然后用手指触摸G，表针应有较大的偏转。

双栅MOS场效应管有两个栅G1、G2。为区分之，可用手分别触摸G1、G2，其中表针向左侧偏转幅度较大的为G2。

关键词：  MOS场效应管  7805晶体管  AC-DC电源芯片

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