肖特基二管的内部结构

2021-11-15 浏览次数：483次

肖特基二管的内部结构

肖特基（Schottky）二管也称肖特基势垒二管（简称SBD），是由金属与半导体接触形成的势垒层为基础制成的二管，

其主要特点是正向导通压降小（约0.45V），反向恢复时间短和开关损耗小，是一种低功耗、高速半导体器件。肖特基二管在结构原理上与PN结二管有很大区别，

它的内部是由阳金属（用钼或铝等材料制成的阻挡层）、二氧化硅（SiO2）电场消除材料、N-外延层（砷材料）、N型硅基片、N+阴层及阴金属等构成

在N型基片和阳金属之间形成肖特基势垒。

当在肖特基势垒两端加上正向偏压（阳金属接电源正，N型基片接电源负）时，肖特基势垒层变窄，其内阻变小；

反之，若在肖特基势垒两端加上反向偏压时，肖特基势垒层则变宽，其内阻变大。

肖特基二管存在的问题是耐压比较低，反向漏电流比较大。

目前应用在功率变换电路中的肖特基二管的大体水平是耐压在150V以下，平均电流在100A以下，反向恢复时间在10～40ns。肖

特基二管应用在高频低压电路中，是比较理想的。

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