可控硅从外形上分主要有螺旋式、平板式和平底式三种，螺旋式的应用较多。可控硅有三个电---阳（A）阴（C）和控制（G）。它有管芯是P型导体和N型导体交迭组成的四层结构，共有三个PN结。可控硅和只有一个PN结的硅整流二度管在结构上迥然不同。可控硅的四层结构和控制的引用，为其发挥“以小控大”的优异控制特性奠定了基础。在应用可控硅时，只要在控制加上很小的电流或电压，就能控制很大的阳电流或电压。电流容量达几百安培以至上千安培的可控硅元件。一般把5安培以下的可控硅叫小功率可控硅，50安培以上的可控硅叫大功率可控硅。
特性：
常用的有阻容移相桥触发电路、单结晶体管触发电路、晶体三管触发电路、利用小晶闸管触发大晶闸管的触发电路，等等。
可控硅的主要参数有：
1、 额定通态平均电流IT 在一定条件下，阳---阴间可以连续通过的50赫兹正弦半波电流的平均值。
2、 正向阻断峰值电压VPF 在控制开路未加触发信号，阳正向电压还未过导能电压时，可以重复加在可控硅两端的正向峰值电压。可控硅承受的正向电压峰值，不能过手册给出的这个参数值。
3、 反向阻断峰值电压VPR 当可控硅加反向电压，处于反向关断状态时，可以重复加在可控硅两端的反向峰值电压。使用时，不能过手册给出的这个参数值。
4、 触发电压VGT 在规定的环境温度下，阳---阴间加有一定电压时，可控硅从关断状态转为导通状态所需要的小控制电流和电压。
5、 维持电流IH 在规定温度下，控制断路，维持可控硅导通所必需的小阳正向电流。许多新型可控硅元件相继问世，如适于高频应用的可控硅，可以用正或负的触发信号控制两个方向导通的双向可控硅，可以用正触发信号使其导通，用负触发信号使其关断的可控硅等等。
可控硅是可控硅整流元件的简称，是一种具有三个PN 结的四层结构的大功率半导体器件，一般由两晶闸管反向连接而成。它的功能不仅是整流，还可以用作无触点开关的接通或切断；实现将直流电变成交流电的逆变；将一种频率的交流电变成另一种频率的交流电等等。可控硅和其它半导体器件一样，有体积小、、稳定性好、工作可靠等优点。
可控硅调光电源的出现，使半导体技术从弱电领域进入了强电领域，成为工业、农业、交通运输、军事科研以至商业、民用电器等方面争相采用的元件。目前可控硅在自动控制、机电应用、工业电气及家电等方面都有广泛的应用。
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