直插肖特基 MBR30100CT

肖特基势垒是指具有整流特性的金属-半导体接触，就如同二极管具有整流特性。是金属-半导体边界上形成的具有整流作用的区域。
肖特基势垒指具有大的势垒高度（也就是ΦBn 或者 ΦBp 》》 kT），以及掺杂浓度比导带或价带上态密度低的金属-半导体接触（施敏， 半导体器件物理与工艺， *二版， 7.1.2）。
肖特基势垒是指具有整流特性的金属-半导体接触，就如同二极管具有整流特性。是金属-半导体边界上形成的具有整流作用的区域。
金属与n型半导体形成的肖特基势垒如图1所示。金属—半导体作为一个整体在热平衡时有同样费米能级。肖特基势垒相较于PN界面大的区别在于具有较低的界面电压，以及在金属端具有相当薄的（几乎不存在）空乏区宽度。由半导体到金属，电子需要克服势垒；而由金属向半导体，电子受势垒阻挡。在加正向偏置时半导体一侧的势垒下降；相反，在加反向偏置时，半导体一侧势垒增高。使得金属-半导体接触具有整流作用（但不是一切金属—半导体接触均如此）。如果对于N型半导体，金属的功函数大于半导体的功函数，对于P型半导体，金属的功函数小于半导体的功函数，以及半导体杂质浓度不小于10^19/立方厘米数量级时会出现欧姆接触，它会因杂质浓度高而发生隧道效应，以致势垒不起整流作用。并非所有的金属-半导体接面都是具有整流特性的，不具有整流特性的金属-半导体接面则称为欧姆接触。整流属性决定于金属的功函、固有半导体的能隙，以及半导体的掺杂类型及浓度。在设计半导体器件时需要对肖特基效应相当熟悉，以确保不会在需要欧姆接触的地方意外地产生肖特基势垒。当半导体均匀掺杂时肖特基势垒的空间电荷层宽度和单边突变P-N结的耗尽层宽度相一致。
肖特基势垒是什么？具有什么应用优势
优点
由于肖特基势垒具有较低的界面电压，可被应用在某器件需要近似于一个理想二极管的地方。在电路设计中，它们也同时与一般的二极管及晶体管一起使用， 其主要的功能是利用其较低的界面电压来保护电路上的其它器件。
然而，自始至终肖特基器件相较于其它半导体器件来说能被应用的领域并不广。
器件
肖特基二极管，肖特基势垒自身作为器件即为肖特基二极管。
肖特基势垒碳纳米管场效应晶体管ET：金属和碳纳米管之间的接触并不理想所以层错导致肖特基势垒，所以我们可以使用这一势垒来制作肖特基二极管或者晶体管等等。
二极管和整流器，Diodes Inc
二极管配置单路
大连续正向电流500mA
每片芯片元件数目1
峰值反向重复电压30V
安装类型表面贴装
封装类型SOD-323
二极管类型肖特基
引脚数目2
大正向电压降450mV
长度1.8mm
宽度1.4mm
高度1.1mm
高工作温度+125 °C
峰值反向电流500？A
尺寸1.8 x 1.4 x 1.1mm
峰值非重复正向浪涌电流2A
工作温度-40 °C

典型的肖特基整流管的内部电路结构是以N型半导体为基片，在上面形成用作掺杂剂的N-外延层。阳极使用钼或铝等材料制成阻档层。用二氧化硅（SiO2）来消除边缘区域的电场，提高管子的耐压值。N型基片具有很小的通态电阻，其掺杂浓度较H-层要高倍。在基片下边形成N+阴极层，其作用是减小阴极的接触电阻。通过调整结构参数，N型基片和阳极金属之间便形成肖特基势垒，如图所示。当在肖特基势垒两端加上正向偏压（阳极金属接电源正极，N型基片接电源负极）时，肖特基势垒层变窄，其内阻变小；反之，若在肖特基势垒两端加上反向偏压时，肖特基势垒层则变宽，其内阻变大。

如何选用肖特基二极管
开关电源当中我们经常会用到肖特基二极管，但是由于不同厂商等原因性能上就相差很大，我们选择肖特基时必须要考虑以下几点参数：
1.导通压降VF：VF为二极管正向导通时二极管两端的压降，选择肖特基二极管是尽量选择VF较小的二极管。
2.反向饱和漏电流IR：IR指在二极管两端加入反向电压时，流过二极管的电流，肖特基二极管反向漏电流较大，选择肖特基二极管是尽量选择IR较小的二极管。
3.额定电流IF：指二极管长期运行时，根据允许温升折算出来的平均电流值。
4.大浪涌电流IFSM：允许流过的过量的正向电流。它不是正常电流，而是瞬间电流，这个值相当大。
5.大反向峰值电压VRM：即使没有反向电流，只要不断地提高反向电压，迟早会使二极管损坏。这种能加上的反向电压，不是瞬时电压，而是反复加上的正反向电压。因给整流器加的是交流电压，它的大值是规定的重要因子。大反向峰值电压VRM指为避免击穿所能加的大反向电压。
6.大直流反向电压VR：上述大反向峰值电压是反复加上的峰值电压，VR是连续加直流电压时的值。用于直流电路，大直流反向电压对于确定允许值和上限值是很重要的。
7.高工作频率fM：由于PN结的结电容存在，当工作频率**过某一值时，它的单向导电性将变差。肖特基二极管的fM值较高，大可达100GHz。
8.反向恢复时间Trr：当工作电压从正向电压变成反向电压时，二极管工作的理想情况是电流能瞬时截止。实际上，一般要延迟一点点时间。决定电流截止延时的量，就是反向恢复时间。虽然它直接影响二极管的开关速度，但不一定说这个值小就好。也即当肖特基二极管由导通突然反向时，反向电流由很大衰减到接近IR时所需要的时间。大功率开关管工作在高频开关状态时，此项指标至为重要。

注意事项
肖特基二极管的结构及特点使其适合于在低压、大电流输出等场合用作高频整流，在高频率下用于检波和混频，肖特基二极管在高速逻辑电路中用作箝位。在IC中也常使用肖特基二极管，在高速计算机中也被广泛采用。除了普通PN结二极管的特性参数之外，肖特基二极管用于检波和混频的电气参数还包括中频阻抗，指的就是肖特基二极管施加额定本振功率时对中频所呈现的阻抗。以上就是小编对于肖特基二极管具体介绍，希望对大家有所借鉴作用。
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