可售卖地全国
类型MOS管
特点可控性强
售后完善
较小包装量卷
安装类型标准
晶体管极性:N Channel
漏较电流, Id 大值:100mA
电压, Vds 大:30V
开态电阻, Rds(on):8ohm
电压 @ Rds测量:4V
电压, Vgs 高:20V
功耗:200mW
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:SOT-323
封装类型:SOT-323
晶体管类型:Small Signal
电压 Vgs @ Rds on 测量:4V
电压, Vds 典型值:30V
电流, Id 连续:10mA
表面安装器件:表面安装
阈值电压, Vgs th 典型值:1.5V
mos管优势
1.可应用于放大。由于场效应管放大器的输入阻抗很高，因此耦合电容可以容量较小，不必使用电解电容器。
2.很高的输入阻抗非常适合作阻抗变换。常用于多级放大器的输入级作阻抗变换。
3.可以用作可变电阻。
4.可以方便地用作恒流源。
5.可以用作电子开关。
6.在电路设计上的灵活性大。栅偏压可正可负可零，三极管只能在正向偏置下工作，电子管只能在负偏压下工作。另外输入阻抗高，可以减轻信号源负载，易于跟前级匹配。
场效应管通过投影一个电场在一个绝缘层上来影响流过晶体管的电流。事实上没有电流流过这个绝缘体，所以FET管的GATE电流非常小。普通的FET用一薄层二氧化硅来作为GATE较下的绝缘体。这种晶体管称为金属氧化物半导体（MOS）晶体管，或，金属氧化物半导体场效应管（MOSFET）。因为MOS管更小更省电，所以他们已经在很多应用场合取代了双较型晶体管。
MOS管工作原理--MOS管简介MOS管，即在集成电路中绝缘性场效应管。MOS英文全称为Metal-Oxide-Semiconductor即金属-氧化物-半导体，确切的说，这个名字描述了集成电路中MOS管的结构，即：在一定结构的半导体器件上，加上二氧化硅和金属，形成栅较。MOS管的source和drain是可以对调的，都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下，两个区是一样的
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