常用肖特基 SRF10200CT

肖特基二管封装：
肖特基二管分为有引线和表面安装（贴片式）两种封装形式。 采用有引线式封装的肖特基二管通常作为高频大电流整流二管、续流二管或保护二管使用。它有式和对管（双二管）式两种封装形式。肖特基对管又有共阴（两管的负相连）、共阳（两管的正相连）和串联（一只二管的正接另一只二管的负）三种管脚引出方式。
采用表面封装的肖特基二管有型、双管型和三管型等多种封装形式，有A~19种管脚引出方式

肖特基二管具有开关频率高、正向压降低等优点，但肖特基二管的反向击穿电压比较低，一般不会**60V，高仅约为100V，以致于限制了肖特基二管的应用范围。在变压器次级用100V以上的高频整流二管、开关电源和功率因数校正电路中的功率开关器件续流二管、RCD缓冲器电路中用600V～1.2kV之间的高速二管、PFC升压用600V二管等情况下时，只有使用快速恢复外延二管和**快速恢复二管。

肖特基二管是贵金属（金、银、铝、铂等）A为正，以N型半导体B为负，利用二者接触面上形成的势垒具有整流特性而制成的金属-半导体器件。因为N型半导体中存在着大量的电子，贵金属中仅有少量的自由电子，所以电子便从浓度高的B中向浓度低的A中扩散。显然，金属A中没有空穴，也就不存在空穴自A向B的扩散运动。随着电子不断从B扩散到A，B表面电子浓度逐渐降低，表面电中性被破坏，于是就形成势垒，其电场方向为B→A。但在该电场作用之下，A中的电子也会产生从A→B的漂移运动，从而消弱了由于扩散运动而形成的电场。当建立起一定宽度的空间电荷区后，电场引起的电子漂移运动和浓度不同引起的电子扩散运动达到相对的平衡，便形成了肖特基势垒。

肖特基（Schottky）二管，又称肖特基势垒二管，是以金属和半导体接触形成的势垒为基础的二管,简称肖特基二管。在通信电源、变频器等中比较常见。而普通二管只能用在低频整流场合，耐压可以做得高。