半导体三管S9015

三管放大原理
1、发射区向基区发射电子
电源Ub经过电阻Rb加在发射结上，发射结正偏，发射区的多数载流子(自由电子）不断地越过发射结进入基区，形成发射电流Ie。同时基区多数载流子也向发射区扩散，但由于多数载流子浓度远发射区载流子浓度，可以不考虑这个电流，因此可以认为发射结主要是电子流。
2、基区中电子的扩散与复合
电子进入基区后，先在靠近发射结的附近密集，渐渐形成电子浓度差，在浓度差的作用下，促使电子流在基区中向集电结扩散，被集电结电场拉入集电区形成集电电流Ic。也有很小一部分电子（因为基区很薄）与基区的空穴复合，扩散的电子流与复合电子流之比例决定了三管的放大能力。
3、集电区收集电子
由于集电结外加反向电压很大，这个反向电压产生的电场力将阻止集电区电子向基区扩散，同时将扩散到集电结附近的电子拉入集电区从而形成集电主电流Icn。另外集电区的少数载流子（空穴）也会产生漂移运动，流向基区形成反向饱和电流，用Icbo来表示，其数值很小，但对温度却异常敏感。

三管产品分类：
a.按材质分: 硅管、锗管
b.按结构分: NPN 、 PNP。如图所示。
c.按功能分: 开关管、功率管、达林顿管、光敏管等.
d. 按功率分：小功率管、率管、大功率管
e.按工作频率分：低频管、高频管、频管
f.按结构工艺分：合金管、平面管
g.按安装方式:插件三管、贴片三管

三管测判口诀：
三管的管型及管脚的判别是电子技术初学者的一项基本功，为了帮助读者迅速掌握测判方法，笔者总结出四句口诀：“三颠倒，找基；PN结，定管型；顺箭头，偏转大；测不准，动嘴巴。”下面让我们逐句进行解释吧。
1： 三颠倒，找基
大家知道，三管是含有两个PN结的半导体器件。根据两个PN结连接方式不同，可以分为NPN型和PNP型两种不同导电类型的三管。
测试三管要使用万用电表的欧姆挡，并选择R×100或R×1k挡位。图2绘出了万用电表欧姆挡的等效电路。红表笔所连接的是表内电池的负，黑表笔则连接着表内电池的正。
假定我们并不知道被测三管是NPN型还是PNP型，也分不清各管脚是什么电。测试的步是判断哪个管脚是基。这时，我们任取两个电(如这两个电为1、2)，用万用电表两支表笔颠倒测量它的正、反向电阻，观察表针的偏转角度；接着，再取1、3两个电和2、3两个电，分别颠倒测量它们的正、反向电阻，观察表针的偏转角度。在这三次颠倒测量中，必然有两次测量结果相近：即颠倒测量中表针一次偏转大，一次偏转小；剩下一次必然是颠倒测量前后指针偏转角度都很小，这一次未测的那只管脚就是我们要寻找的基。
2：PN结，定管型
找出三管的基后，我们就可以根据基与另外两个电之间PN结的方向来确定管子的导电类型。将万用表的黑表笔接触基，红表笔接触另外两个电中的任一电，若表头指针偏转角度很大，则说明被测三管为NPN型管；若表头指针偏转角度很小，则被测管即为PNP型。
3：顺箭头，偏转大
找出了基b，另外两个电哪个是集电c，哪个是发射e呢?这时我们可以用测穿透电流ICEO的方法确定集电c和发射e。
(1) 对于NPN型三管，穿透电流的测量电路。根据这个原理，用万用电表的黑、红表笔颠倒测量两间的正、反向电阻Rce和Rec，虽然两次测量中万用表指针偏转角度都很小，但仔细观察，总会有一次偏转角度稍大，此时电流的流向一定是：黑表笔→c→b→e→红表笔，电流流向正好与三管符号中的箭头方向一致顺箭头，所以此时黑表笔所接的一定是集电c，红表笔所接的一定是发射e。
(2) 对于PNP型的三管，道理也类似于NPN型，其电流流向一定是：黑表笔→e→b→c→红表笔，其电流流向也与三管符号中的箭头方向一致，所以此时黑表笔所接的一定是发射e，红表笔所接的一定是集电c。
4：测不出，动嘴巴
若在“顺箭头，偏转大”的测量过程中，若由于颠倒前后的两次测量指针偏转均太小难以区分时，就要“动嘴巴”了。具体方法是：在“顺箭头，偏转大”的两次测量中，用两只手分别捏住两表笔与管脚的结合部，用嘴巴含住(或用舌头抵住)基电b，仍用“顺箭头，偏转大”的判别方法即可区分开集电c与发射e。其中人体起到直流偏置电阻的作用，目的是使效果加明显。

晶体三管具有电流放大作用，其实质是三管能以基电流微小的变化量来控制集电电流较大的变化量。这是三管基本的和重要的特性。我们将ΔIc/ΔIb的比值称为晶体三管的电流放大倍数，用符号"β"表示。电流放大倍数对于某一只三管来说是一个定值，但随着三管工作时基电流的变化也会有一定的改变。

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