热销可控硅BTA12-600B

结构原件
可控硅是P1N1P2N2四层三端结构元件，共有三个PN结，分析原理时，可以把它看作由一个PNP管和一个NPN管所组成，其等效图解如右图所示。双向可控硅：双向可控硅是一种硅可控整流器件，也称作双向晶闸管。这种器件在电路中能够实现交流电的无触点控制，以小电流控制大电流，具有无火花、动作快、寿命长、可靠性高以及简化电路结构等优点。从外表上看，双向可控硅和普通可控硅很相似，也有三个电。但是，它除了其中一个电G仍叫做控制外，另外两个电通常却不再叫做阳和阴，而统称为主电Tl和T2。它的符号也和普通可控硅不同，是把两个可控硅反接在一起画成的，如图2所示。它的型号，在我国一般用“3CTS”或“KS”表示；国外的资料也有用“TRIAC”来表示的。双向可控硅的规格、型号、外形以及电引脚排列依生产厂家不同而有所不同，但其电引脚多数是按T1、T2、G的顾序从左至右排列(观察时，电引脚向下，面对标有字符的一面)。市场上常见的几种塑封外形结构双向可控硅的外形及电引脚排列
晶闸管特性
为了能够直观地认识晶闸管的工作特性，大家先看这块示教板（图3）。晶闸管VS与小灯泡EL串联起来，通过开关S接在直流电源上。注意阳A是接电源的正，阴K接电源的负，控制G通过按钮开关SB接在1.5V直流电源的正（这里使用的是KP1型晶闸管，若采用KP5型，应接在3V直流电源的正）。晶闸管与电源的这种连接方式叫做正向连接，也就是说，给晶闸管阳和控制所加的都是正向电压。合上电源开关S，小灯泡不亮，说明晶闸管没有导通；再按一下按钮开关SB，给控制输入一个触发电压，小灯泡亮了，说明晶闸管导通了。这个演示实验给了我们什么启发呢?
这个实验告诉我们，要使晶闸管导通，一是在它的阳A与阴K之间外加正向电压，二是在它的控制G与阴K之间输入一个正向触发电压。晶闸管导通后，松开按钮开关，去掉触发电压，仍然维持导通状态。
晶闸管特点
“一触即发”。但是，如果阳或控制外加的是反向电压，晶闸管就不能导通。控制的作用是通过外加正向触发脉冲使晶闸管导通，却不能使它关断。那么，用什么方法才能使导通的晶闸管关断呢?使导通的晶闸管关断，可以断开阳电源（图3中的开关S）或使阳电流小于维持导通的小值（称为维持电流）。如果晶闸管阳和阴之间外加的是交流电压或脉动直流电压，那么，在电压过零时，晶闸管会自行关断。

电压测方法
可控硅为什么其有“以小控大”的可控性呢？下面我们用图表-27来简单分析可控硅的工作原理。
首先，可以把从阴向上数的、二、三层看面是一只NPN型号晶体管，而二、三四层组成另一只PNP型晶体管。其中二、三层为两管交迭共用。当在阳和阴之间加上一个正向电压Ea，又在控制G和阴C之间（相当BG1的基一射间）输入一个正的触发信号，BG1将产生基电流Ib1，经放大，BG1将有一个放大了β1倍的集电电流IC1。因为BG1集电与BG2基相连，IC1又是BG2的基电流Ib2。BG2又把比Ib2（Ib1）放大了β2的集电电流IC2送回BG1的基放大。如此循环放大，直到BG1、BG2导通。实际这一过程是“一触即发”的过程，对可控硅来说，触发信号加入控制，可控硅立即导通。导通的时间主要决定于可控硅的性能。
可控硅一经触发导通后，由于循环反馈的原因，流入BG1基的电流已不只是初始的Ib1，而是经过BG1、BG2放大后的电流（β1β2Ib1）这一电流远大于Ib1，足以保持BG1的持续导通。此时触发信号即使消失，可控硅仍保持导通状态只有断开电源Ea或降低Ea，使BG1、BG2中的集电电流小于维持导通的小值时，可控硅方可关断。当然，如果Ea性反接，BG1、BG2由于受到反向电压作用将处于截止状态。这时，即使输入触发信号，可控硅也不能工作。反过来，Ea接成正向，而触动发信号是负的，可控硅也不能导通。另外，如果不加触发信号，而正向阳电压大到过一定值时，可控硅也会导通，但已属于非正常工作情况了。
可控硅这种通过触发信号（小的触发电流）来控制导通（可控硅中通过大电流）的可控特性，正是它区别于普通硅整流二管的重要特征。
普通可控硅的三个电可以用万用表欧姆挡R×100挡位来测。大家知道，晶闸管G、K之间是一个PN结（a），相当于一个二管，G为正、K为负，所以，按照测试二管的方法，找出三个中的两个，测它的正、反向电阻，电阻小时，万用表黑表笔接的是控制G，可以用刚才演示用的示教板电路。接通电源开关S，按一下按钮开关SB，灯泡发光就是好的，不发光就是坏的。

可控硅调压器：是一种以可控硅（电力电子功率器件）为基础，以专用控制电路为的电源功率控制电器。简称晶闸管调功器。又称晶闸管调功器，晶闸管调压器，晶闸管调整器，可控硅调功器，可控硅调整器，电力调整器，电力调功器，具有、无机械噪声和磨损、响应速度快、体积小、重量轻等诸多优点。

特性：
常用的有阻容移相桥触发电路、单结晶体管触发电路、晶体三管触发电路、利用小晶闸管触发大晶闸管的触发电路，等等。
可控硅的主要参数有：
1、 额定通态平均电流IT 在一定条件下，阳---阴间可以连续通过的50赫兹正弦半波电流的平均值。
2、 正向阻断峰值电压VPF 在控制开路未加触发信号，阳正向电压还未过导能电压时，可以重复加在可控硅两端的正向峰值电压。可控硅承受的正向电压峰值，不能过手册给出的这个参数值。
3、 反向阻断峰值电压VPR 当可控硅加反向电压，处于反向关断状态时，可以重复加在可控硅两端的反向峰值电压。使用时，不能过手册给出的这个参数值。
4、 触发电压VGT 在规定的环境温度下，阳---阴间加有一定电压时，可控硅从关断状态转为导通状态所需要的小控制电流和电压。
5、 维持电流IH 在规定温度下，控制断路，维持可控硅导通所必需的小阳正向电流。许多新型可控硅元件相继问世，如适于高频应用的可控硅，可以用正或负的触发信号控制两个方向导通的双向可控硅，可以用正触发信号使其导通，用负触发信号使其关断的可控硅等等。
可控硅有多种分类方法。
（一）按关断、导通及控制方式分类：可控硅按其关断、导通及控制方式可分为普通可控硅、双向可控硅、逆导可控硅、门关断可控硅（GTO）、BTG可控硅、温控可控硅和光控可控硅等多种。
（二）按引脚和性分类：可控硅按其引脚和性可分为二可控硅、三可控硅和四可控硅。
（三）按封装形式分类：可控硅按其封装形式可分为金属封装可控硅、塑封可控硅和陶瓷封装可控硅三种类型。其中，金属封装可控硅又分为螺栓形、平板形、圆壳形等多种；塑封可控硅又分为带散热片型和不带散热片型两种。
可控硅开关
可控硅开关
（四）按电流容量分类：可控硅按电流容量可分为大功率可控硅、率可控硅和小功率可控硅三种。通常，大功率可控硅多采用金属壳封装，而中、小功率可控硅则多采用塑封或陶瓷封装。
（五）按关断速度分类：可控硅按其关断速度可分为普通可控硅和高频（）可控硅。
（六）过零触发-一般是调功，即当正弦交流电交流电电压相位过零点触发，必须是过零点才触发，导通可控硅。
（七）非过零触发-无论交流电电压在什么相位的时候都可触发导通可控硅，常见的是移相触发，即通过改变正弦交流电的导通角（角相位），来改变输出百分比。

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