肖特基二管具有开关频率高、正向压降低等优点，但肖特基二管的反向击穿电压比较低，一般不会60V，高仅约为100V，以致于限制了肖特基二管的应用范围。在变压器次级用100V以上的高频整流二管、开关电源和功率因数校正电路中的功率开关器件续流二管、RCD缓冲器电路中用600V～1.2kV之间的高速二管、PFC升压用600V二管等情况下时，只有使用恢复外延二管和恢复二管。
如何选用肖特基二管
开关电源当中我们经常会用到肖特基二管，但是由于不同厂商等原因性能上就相差很大，我们选择肖特基时必须要考虑以下几点参数：
1.导通压降VF：VF为二管正向导通时二管两端的压降，选择肖特基二管是尽量选择VF较小的二管。
2.反向饱和漏电流IR：IR指在二管两端加入反向电压时，流过二管的电流，肖特基二管反向漏电流较大，选择肖特基二管是尽量选择IR较小的二管。
3.额定电流IF：指二管长期运行时，根据允许温升折算出来的平均电流值。
4.大浪涌电流IFSM：允许流过的过量的正向电流。它不是正常电流，而是瞬间电流，这个值相当大。
5.大反向峰值电压VRM：即使没有反向电流，只要不断地提高反向电压，迟早会使二管损坏。这种能加上的反向电压，不是瞬时电压，而是反复加上的正反向电压。因给整流器加的是交流电压，它的大值是规定的重要因子。大反向峰值电压VRM指为避免击穿所能加的大反向电压。
6.大直流反向电压VR：上述大反向峰值电压是反复加上的峰值电压，VR是连续加直流电压时的值。用于直流电路，大直流反向电压对于确定允许值和上限值是很重要的。
7.高工作频率fM：由于PN结的结电容存在，当工作频率过某一值时，它的单向导电性将变差。肖特基二管的fM值较高，大可达100GHz。
8.反向恢复时间Trr：当工作电压从正向电压变成反向电压时，二管工作的理想情况是电流能瞬时截止。实际上，一般要延迟一点点时间。决定电流截止延时的量，就是反向恢复时间。虽然它直接影响二管的开关速度，但不一定说这个值小就好。也即当肖特基二管由导通突然反向时，反向电流由很大衰减到接近IR时所需要的时间。大功率开关管工作在高频开关状态时，此项指标至为重要。
肖特基二管的应用：
SBD的结构及特点使其适合于在低压、大电流输出场合用作高频整流，在非常高的频率下（如X波段、C波段、S波段和Ku波段）用于检波和混频，在高速逻辑电路中用作箝位。在IC中也常使用SBD，像SBD?TTL集成电路早已成为TTL电路的主流，在高速计算机中被广泛采用。
除了普通PN结二管的特性参数之外，用于检波和混频的SBD电气参数还包括中频阻抗（指SBD施加额定本振功率时对中频所呈现的阻抗，一般在200Ω～600Ω之间）、电压驻波比（一般≤2）和噪声系数等。
肖特基二管结构：
新型高压SBD的结构和材料与传统SBD是有区别的。传统SBD是通过金属与半导体接触而构成。金属材料可选用铝、金、钼、镍和钛等，半导体通常为硅（Si）或化镓（GaAs）。由于电子比空穴迁移率大，为获得良好的频率特性，故选用N型半导体材料作为基片。为了减小SBD的结电容，提高反向击穿电压，同时又不使串联电阻过大，通常是在N+衬底上外延一高阻N－薄层。其结构示图如图1（a），图形符号和等效电路分别如图1（b）和图1（c）所示。在图1（c）中，CP是管壳并联电容，LS是引线电感，RS是包括半导体体电阻和引线电阻在内的串联电阻，Cj和Rj分别为结电容和结电阻（均为偏流、偏压的函数）。 大家知道，金属导体内部有大量的导电电子。当金属与半导体接触（二者距离只有原子大小的数量级）时，金属的费米能级半导体的费米能级。在金属内部和半导体导带相对应的分能级上，电子密度小于半导体导带的电子密度。因此，在二者接触后，电子会从半导体向金属扩散，从而使金属带上负电荷，半导体带正电荷。由于金属是理想的导体，负电荷只分布在表面为原子大小的一个薄层之内。而对于N型半导体来说，失去电子的施主杂质原子成为正离子，则分布在较大的厚度之中。电子从半导体向金属扩散运动的结果，形成空间电荷区、自建电场和势垒，并且耗尽层只在N型半导体一边（势垒区全部落在半导体一侧）。势垒区中自建电场方向由N型区指向金属，随热电子发射自建场增加，与扩散电流方向相反的漂移电流，终达到动态平衡，在金属与半导体之间形成一个接触势垒，这就是肖特基势垒。
在外加电压为零时，电子的扩散电流与反向的漂移电流相等，达到动态平衡。在加正向偏压（即金属加正电压，半导体加负电压）时，自建场削弱，半导体一侧势垒降低，于是形成从金属到半导体的正向电流。当加反向偏压时，自建场增强，势垒高度增加，形成由半导体到金属的较小反向电流。因此，SBD与PN结二管一样，是一种具有单向导电性的非线性器件。
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