三管放大电路：
基本结构
基本放大电路是放大电路中基本的结构，是构成复杂放大电路的基本单元。它利用双型半导体三管输入电流控制输出电流的特性，或场效应半导体三管输入电压控制输出电流的特性，实现信号的放大。本章基本放大电路的知识是进一步学习电子技术的重要基础。
基本放大电路一般是指由一个三管或场效应管组成的放大电路。从电路的角度来看，可以将基本放大电路看成一个双端口网络。放大的作用体现在如下方面：
1．放大电路主要利用三管或场效应管的控制作用放大微弱信号，输出信号在电压或电流的幅度上得到了放大，输出信号的能量得到了加强。
2．输出信号的能量实际上是由直流电源提供的，只是经过三管的控制，使之转换成信号能量，提供给负载。
电路组成
共射组态基本放大电路是输入信号加在基和发射之间，耦合电容器C1和Ce视为对交流信号短路。输出信号从集电对地取出，经耦合电容器C2隔除直流量，仅将交流信号加到负载电阻RL之上。放大电路的共射组态实际上是指放大电路中的三管是共射组态。
在输入信号为零时，直流电源通过各偏置电阻为三管提供直流的基电流和直流集电电流，并在三管的三个间形成一定的直流电压。由于耦合电容的隔直流作用，直流电压无法到达放大电路的输入端和输出端。
当输入交流信号通过耦合电容C1和Ce加在三管的发射结上时，发射结上的电压变成交、直流的叠加。放大电路中信号的情况比较复杂，各信号的符号规定如下：由于三管的电流放大作用，ic要比ib大几十倍，一般来说，只要电路参数设置合适，输出电压可以比输入电压高许多倍。uCE中的交流量 有一部分经过耦合电容到达负载电阻，形成输出电压。完成电路的放大作用。
由此可见，放大电路中三管集电的直流信号不随输入信号而改变，而交流信号随输入信号发生变化。在放大过程中，集电交流信号是叠加在直流信号上的，经过耦合电容，从输出端提取的只是交流信号。因此，在分析放大电路时，可以采用将交、直流信号分开的办法，可以分成直流通路和交流通路来分析。
组成原则
1．保证放大电路的器件三管工作在放大状态，即有合适的偏置。也就是说发射结正偏，集电结反偏。
2．输入回路的设置应当使输入信号耦合到三管的输入电，形成变化的基电流，从而产生三管的电流控制关系，变成集电电流的变化。
3．输出回路的设置应该保证将三管放大以后的电流信号转变成负载需要的电量形式（输出电压或输出电流）。
三管基的判别：根据三管的结构示意图，我们知道三管的基是三管中两个PN结的公共，因此，在判别三管的基时，只要找出两个PN结的公共，即为三管的基。具体方法是将多用电表调至电阻挡的R×1k挡，先用红表笔放在三管的一只脚上，用黑表笔去碰三管的另两只脚，如果两次全通，则红表笔所放的脚就是三管的基。如果一次没找到，则红表笔换到三管的另一个脚，再测两次；如还没找到，则红表笔再换一下，再测两次。如果还没找到，则改用黑表笔放在三管的一个脚上，用红表笔去测两次看是否全通，若一次没成功再换。这样多量12次，总可以找到基。
晶体三管（以下简称三管）按材料分有两种：锗管和硅管。而每一种又有NPN和PNP两种结构形式，但使用多的是硅NPN和锗PNP两种三管，（其中，N是负的意思（代表英文中Negative），N型半导体在高纯度硅中加入磷取代一些硅原子，在电压下产生自由电子导电，而P是正的意思（Positive）是加入硼取代硅，产生大量空穴利于导电）。两者除了电源性不同外，其工作原理都是相同的，下面仅介绍NPN硅管的电流放大原理。
三管工作原理；
一、理论原理
晶体三管（以下简称三管）按材料分有两种：锗管和硅管。而每一种又有NPN和PNP两种结构形式，但使用多的是硅NPN和锗PNP两种三管，（其中，N是负的意思（代表英文中Negative），N型半导体在高纯度硅中加入磷取代一些硅原子，在电压下产生自由电子导电，而P是正的意思（Positive）是加入硼取代硅，产生大量空穴利于导电）。两者除了电源性不同外，其工作原理都是相同的，下面仅介绍NPN硅管的电流放大原理。
对于NPN管，它是由2块N型半导体中间夹着一块P型半导体所组成，发射区与基区之间形成的PN结称为发射结,而集电区与基区形成的PN结称为集电结,三条引线分别称为发射e （Emitter）、基b (Base)和集电c (Collector)。如右图所示
当b点电位e点电位零点几伏时，发射结处于正偏状态，而C点电位b点电位几伏时，集电结处于反偏状态，集电电源Ec要基电源Eb。
在制造三管时，有意识地使发射区的多数载流子浓度大于基区的，同时基区做得很薄，而且，要严格控制杂质含量，这样，一旦接通电源后，由于发射结正偏，发射区的多数载流子（电子）及基区的多数载流子（空穴）很容易地越过发射结互相向对方扩散，但因前者的浓度基大于后者，所以通过发射结的电流基本上是电子流，这股电子流称为发射电子流。
由于基区很薄,加上集电结的反偏，注入基区的电子大部分越过集电结进入集电区而形成集电电流Ic，只剩下很少（1-10%）的电子在基区的空穴进行复合，被复合掉的基区空穴由基电源Eb重新补给，从而形成了基电流Ibo.根据电流连续性原理得：
Ie=Ib+Ic
这就是说，在基补充一个很小的Ib，就可以在集电上得到一个较大的Ic，这就是所谓电流放大作用，Ic与Ib是维持一定的比例关系，即：
β1=Ic/Ib
式中：β1--称为直流放大倍数，
集电电流的变化量△Ic与基电流的变化量△Ib之比为：
β= △Ic/△Ib
式中β--称为交流电流放大倍数，由于低频时β1和β的数值相差不大，所以有时为了方便起见，对两者不作严格区分，β值约为几十至一百多。
α1=Ic/Ie(Ic与Ie是直流通路中的电流大小)
式中：α1也称为直流放大倍数，一般在共基组态放大电路中使用，描述了射电流与集电电流的关系。
α =△Ic/△Ie
表达式中的α为交流共基电流放大倍数。同理α与α1在小信号输入时相差也不大。
对于两个描述电流关系的放大倍数有以下关系
三管的电流放大作用实际上是利用基电流的微小变化去控制集电电流的巨大变化。
三管是一种电流放大器件，但在实际使用中常常通过电阻将三管的电流放大作用转变为电压放大作用。
二、放大原理
1、发射区向基区发射电子
电源Ub经过电阻Rb加在发射结上，发射结正偏，发射区的多数载流子(自由电子）不断地越过发射结进入基区，形成发射电流Ie。同时基区多数载流子也向发射区扩散，但由于多数载流子浓度远发射区载流子浓度，可以不考虑这个电流，因此可以认为发射结主要是电子流。
2、基区中电子的扩散与复合
电子进入基区后，先在靠近发射结的附近密集，渐渐形成电子浓度差，在浓度差的作用下，促使电子流在基区中向集电结扩散，被集电结电场拉入集电区形成集电电流Ic。也有很小一部分电子（因为基区很薄）与基区的空穴复合，扩散的电子流与复合电子流之比例决定了三管的放大能力。
3、集电区收集电子
由于集电结外加反向电压很大，这个反向电压产生的电场力将阻止集电区电子向基区扩散，同时将扩散到集电结附近的电子拉入集电区从而形成集电主电流Icn。另外集电区的少数载流子（空穴）也会产生漂移运动，流向基区形成反向饱和电流，用Icbo来表示，其数值很小，但对温度却异常敏感。
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