三管，全称应为半导体三管，也称双型晶体管、晶体三管，是一种控制电流的半导体器件。其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号，也用作无触点开关。
三管是半导体基本元器件之一，具有电流放大作用，是电子电路的元件。三管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结，两个PN结把整块半导体分成三部分，中间部分是基区，两侧部分是发射区和集电区，排列方式有PNP和NPN两种。
三管 （也称晶体管）在中文含义里面只是对三个引脚的放大器件的统称，我们常说的三管，可能是 如图所示的几种器件。
可以看到，虽然都叫三管，其实在英文里面的说法是千差万别的，三管这个词汇其实也是中文特有的一个象形意义上的的词汇。
“Triode”（电子三管）这个是英汉词典里面 “三管” 的英文翻译，与电子三管初次出现有关，是真正意义上的三管这个词初所指的物品。其余的在中文里称作三管的器件，实际翻译时不可以翻译成Triode。
电子三管 Triode （俗称电子管的一种）
双型晶体管 BJT （Bipolar Junction Transistor）
J型场效应管 Junction gate FET（Field Effect Transistor）
金属氧化物半导体场效应晶体管 MOS FET ( Metal Oxide Semi-Conductor Field Effect Transistor)英文全称
V型槽场效应管 VMOS （Vertical Metal Oxide Semiconductor ）
注：这三者看上去都是场效应管，其实金属氧化物半导体场效应晶体管 、V型槽沟道场效应管 是 单（Unipolar）结构的，是和 双（Bipolar）是对应的，所以也可以统称为单晶体管（Unipolar Junction Transistor）。
其中J型场效应管是非绝缘型场效应管，MOS FET 和VMOS都是绝缘型的场效应管。
VMOS是在 MOS的基础上改进的一种大电流，高放大倍数（跨道）新型功率晶体管，区别就是使用了V型槽，使MOS管的放大系数和工作电流大幅提升，但是同时也大幅增加了MOS的输入电容，是MOS管的一种大功率改进型产品，但是结构上已经与传统的MOS发生了巨大的差异。VMOS只有增强型的而没有MOS所特有的耗尽型的MOS管。
三管，全称应为半导体三管，也称双型晶体管、晶体三管，是一种控制电流的半导体器件。其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号，也用作无触点开关。
半导体三管也称为晶体三管，可以说它是电子电路中重要的器件。它主要的功能是电流放大和开关作用。三管顾名思义具有三个电。二管是由一个PN结构成的，而三管由两个PN结构成，共用的一个电成为三管的基（用字母b表示）。其他的两个电成为集电（用字母c表示）和发射（用字母e表示）。由于不同的组合方式，形成了一种是NPN型的三管，另一种是PNP型的三管。三管的种类很多，并且不同型号各有不同的用途。三管大都是塑料封装或金属封装，常见三管的外观，有一个箭头的电是发射，箭头朝外的是NPN型三管，而箭头朝内的是PNP型。实际上箭头所指的方向是电流的方向。
晶体三管（以下简称三管）按材料分有两种：锗管和硅管。而每一种又有NPN和PNP两种结构形式，但使用多的是硅NPN和锗PNP两种三管，（其中，N是负的意思（代表英文中Negative），N型半导体在高纯度硅中加入磷取代一些硅原子，在电压下产生自由电子导电，而P是正的意思（Positive）是加入硼取代硅，产生大量空穴利于导电）。两者除了电源性不同外，其工作原理都是相同的，下面仅介绍NPN硅管的电流放大原理。
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