肖特基缺陷是由于晶体表面附近的原子热运动到表面，在原来的原子位置留出空位，然后内部邻近的原子再进入这个空位，这样逐步进行而造成的，看来就好像是晶体内部原子跑到晶体表面来了。显然，对于离子晶体，阴阳离子空位总是成对出现；但若是单质，则无这种情况。除了表面外，肖特基缺陷也可在位错或晶界上产生。这种缺陷在晶体内也能运动，也存在着产生和复合的动态平衡。对一定的晶体来说，在确定的温度下，缺陷的浓度也是一定的。空位缺陷的存在可用场离子显微镜直接观察到。
肖特基二管的应用：
SBD的结构及特点使其适合于在低压、大电流输出场合用作高频整流，在非常高的频率下（如X波段、C波段、S波段和Ku波段）用于检波和混频，在高速逻辑电路中用作箝位。在IC中也常使用SBD，像SBD?TTL集成电路早已成为TTL电路的主流，在高速计算机中被广泛采用。
除了普通PN结二管的特性参数之外，用于检波和混频的SBD电气参数还包括中频阻抗（指SBD施加额定本振功率时对*中频所呈现的阻抗，一般在200Ω～600Ω之间）、电压驻波比（一般≤2）和噪声系数等。
肖特基二管作用：
肖特基二管肖特基（Schottky）二管，又称肖特基势垒二管（简称 SBD），它属一种低功耗、高速半导体器件。显著的特点为反向恢复时间短（可以小到几纳秒），正向导通压降仅0.4V左右。其多用作高频、低压、大电流整流二管、续流二管、保护二管，也有用在微波通信等电路中作整流二管、小信号检波二管使用。在通信电源、变频器等中比较常见。
一个典型的应用，是在双型晶体管 BJT 的开关电路里面，通过在 BJT 上连接 Shockley 二管来箝位，使得晶体管在导通状态时其实处于很接近截止状态，从而提高晶体管的开关速度。这种方法是 74LS，74ALS，74AS 等典型数字 IC 的 TTL内部电路中使用的技术。
肖特基（Schottky）二管的大特点是正向压降 V* 比较小。在同样电流的情况下，它的正向压降要小许多。另外它的恢复时间短。它也有一些缺点：耐压比较低，漏电流稍大些。选用时要全面考虑。
肖特基二管检查：
肖特基（Schottky）二管也称肖特基势垒二管（简称SBD），它是一种低功耗、高速半导体器件，广泛应用于开关电源、变频器、驱动器等电路，作高频、低压、大电流整流二管、续流二管、保护二管使用，或在微波通信等电路中作整流二管、小信号检波二管使用。
性能比较
下表列出了肖特基二管和快恢复二管、快恢复二管、硅高频整流二管、硅高速开关二管的性能比较。由表可见，硅高速开关二管的trr虽低，但平均整流电流很小，不能作大电流整流用。
检测方法
下面通过一个实例来介绍检测肖特基二管的方法。检测内容包括：①识别电；②检查管子的单向导电性；③测正向导压降V；④测量反向击穿电压VBR。
被测管为B82-004型肖特基管，共有三个管脚，将管脚按照正面（字面朝向人）从左至右顺序编上序号①、②、③。选择500型万用表的R×1档进行测量，全部数据整理成下表：
肖特基二管测试结论：
，根据①—②、③—④间均可测出正向电阻，判定被测管为共阴对管，①、③脚为两个阳，②脚为公共阴。
二，因①—②、③—②之间的正向电阻只几欧姆，而反向电阻为无穷大，故具有单向导电性。
三，内部两只肖特基二管的正向导通压降分别为0.315V、0.33V，均手册中给定的大允许值VM(0.55V)。
另外使用ZC 25-3型兆欧表和500型万用表的250VDC档测出，内部两管的反向击穿电压VBR依次为140V、135V。查手册，B82-004的高反向工作电压（即反向峰值电压）VBR=40V。表明留有较高的安全系数.
肖特基二管是由贵金属金、铝、银、铂等A为正，以N型半导体B为负，然后利用二者接触面之间上形成的势垒一种具有整流特性制成的金属半导体器件。肖特基二管由于N型半导体中存在大量电子，而贵金属中仅有少量自由电子，肖特基二管中的电子便从浓度高的B向浓度低A中扩散。肖特基二管金属A中没有空穴，不存在空穴自A向B扩散运动。随着肖特基二管中电子不断从B扩散到A，B的表面电子浓度逐渐降低，表面电中性破坏，于是形成势垒。
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