MOS管的工作原理(以N沟道增强型MOS场效应管)它是利用VGS来控制“感应电荷”的多少，以改变由这些“感应电荷”形成的导电沟道的状况，然后达到控制漏电流的目的。在制造管子时，通过工艺使绝缘层中出现大量正离子，故在交界面的另一侧能感应出较多的负电荷，这些负电荷把高渗杂质的N区接通，形成了导电沟道，即使在VGS=0时也有较大的漏电流ID。当栅电压改变时，沟道内被感应的电荷量也改变，导电沟道的宽窄也随之而变，因而漏电流ID随着栅电压的变化而变化。
晶体管性:N Channel
漏电流, Id 大值:100mA
电压, Vds 大:30V
开态电阻, Rds(on):8ohm
电压 @ Rds测量:4V
电压, Vgs 高:20V
功耗:200mW
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:SOT-323
封装类型:SOT-323
晶体管类型:Small Signal
电压 Vgs @ Rds on 测量:4V
电压, Vds 典型值:30V
电流, Id 连续:10mA
表面安装器件:表面安装
阈值电压, Vgs th 典型值:1.5V
mos管是金属（metal）—氧化物（oxide）—半导体（semiconductor）场效应晶体管，或者称是金属—绝缘体（insulator）—半导体。MOS管的source和drain是可以对调的，他们都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下，这个两个区是一样的，即使两端对调也不会影响器件的性能。这样的器件被认为是对称的。
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