测量方法
鉴别可控硅三个的方法很简单，根据P-N结的原理，只要用万用表测量一下三个之间的电阻值就可以。
阳与阴之间的正向和反向电阻在几百千欧以上，阳和控制之间的正向和反向电阻在几百千欧以上（它们之间有两个P-N结，而且方向相反，因此阳和控制正反向都不通） [1] 。
控制与阴之间是一个P-N结，因此它的正向电阻大约在几欧-几百欧的范围，反向电阻比正向电阻要大。可是控制二管特性是不太理想的，反向不是呈阻断状态的，可以有比较大的电流通过，因此，有时测得控制反向电阻比较小，并不能说明控制特性不好。另外，在测量控制正反向电阻时，万用表应放在R*10或R*1挡，防止电压过高控制反向击穿。
若测得元件阴阳正反向已短路，或阳与控制短路，或控制与阴反向短路，或控制与阴断路，说明元件已损坏。
可控硅是可控硅整流元件的简称，是一种具有三个PN结的四层结构的大功率半导体器件。实际上，可控硅的功用不仅是整流，它还可以用作无触点开关以接通或切断电路，实现将直流电变成交流电的逆变，将一种频率的交流电变成另一种频率的交流电，等等。可控硅和其它半导体器件一样，其有体积小、、稳定性好、工作可靠等优点。它的出现，使半导体技术从弱电领域进入了强电领域，成为工业、农业、交通运输、军事科研以至商业、民用电器等方面争相采用的元件。
用途：
普通晶闸管基本的用途就是可控整流。大家熟悉的二管整流电路属于不可控整流电路。如果把二管换成晶闸管，就可以构成可控整流电路。以简单的单相半波可控整流电路为例，在正弦交流电压U2的正半周期间，如果VS的控制没有输入触发脉冲Ug，VS仍然不能导通，只有在U2处于正半周，在控制外加触发脉冲Ug时，晶闸管被触发导通。画出它的波形（c）及（d），只有在触发脉冲Ug到来时，负载RL上才有电压UL输出。Ug到来得早，晶闸管导通的时间就早；Ug到来得晚，晶闸管导通的时间就晚。通过改变控制上触发脉冲Ug到来的时间，就可以调节负载上输出电压的平均值UL。在电工技术中，常把交流电的半个周期定为180°，称为电角度。这样，在U2的每个正半周，从零值开始到触发脉冲到来瞬间所经历的电角度称为控制角α；在每个正半周内晶闸管导通的电角度叫导通角θ。很明显，α和θ都是用来表示晶闸管在承受正向电压的半个周期的导通或阻断范围的。通过改变控制角α或导通角θ，改变负载上脉冲直流电压的平均值UL，实现了可控整流。
1：小功率塑封双向可控硅通常用作声光控灯光系统。额定电流：IA小于2A。
2：大；率塑封和铁封可控硅通常用作功率型可控调压电路。像可调压输出直流电源等等。
3：大功率高频可控硅通常用作工业中；高频熔炼炉等。
封装形式：常用可控硅的封装形式有TO-92、TO-126、TO-202AB、TO-220、TO-220ABC、TO-3P、SOT-89、TO-251、TO-252、SOT-23、SOT23-3L等
主要参数：
电流
⒈ 额定通态电流（IT）即大稳定工作电流，俗称电流。常用可控硅的IT一般为一安到几十安。
⒉反向重复峰值电压（VRRM）或断态重复峰值电压（VDRM），俗称耐压。常用可控硅的VRRM/VDRM一般为几百伏到一千伏。
⒊ 控制触发电流（IGT），俗称触发电流。常用可控硅的IGT一般为几微安到几十毫安。
4，在规定环境温度和散热条件下，允许通过阴和阳的电流平均值。
三相晶闸可控硅调压器是移相触发型的晶闸管电力控制器。触发板具有过流、缺相、相序、晶闸管过热等多种保护功能；可广泛应用于工业各领域的电压、电流、功率的调节，适用于电阻性负载、电感性负载、变压器一次侧等，主要应用如下：
◇ 以镍铬、铁铬铝、远红外发热元件及硅钼棒、硅碳棒等为加热元件的温度控制。
◇ 盐浴炉、工频感应炉、淬火炉、熔融玻璃的温度控制。
◇ 整流电镀，整流变压器、电炉变压器一次侧控制。
◇ 真空镀膜设备等
◇ 三相力矩电动机的速度控制，普通电动机软起动，直流电机调速等。
◇ 电压、电流、功率、灯光等无级平滑调节。
◇ 恒压、恒流、恒功率控制。
制做工艺及质量保证：控制器的元器件全部采用波峰焊（非人工焊接）；控制板焊接完成后进行初调；初调合格后进行为期一周的通电升温动态老化试验；后进行全面检测。
可控硅调压器：是一种以可控硅（电力电子功率器件）为基础，以**控制电路为的电源功率控制电器。简称晶闸管调功器。又称晶闸管调功器，晶闸管调压器，晶闸管调整器，可控硅调功器，可控硅调整器，电力调整器，电力调功器，具有、无机械噪声和磨损、响应速度快、体积小、重量轻等诸多优点。
可控硅是可控硅整流元件的简称，是一种具有三个PN 结的四层结构的大功率半导体器件，一般由两晶闸管反向连接而成。它的功能不仅是整流，还可以用作无触点开关的接通或切断；实现将直流电变成交流电的逆变；将一种频率的交流电变成另一种频率的交流电等等。可控硅和其它半导体器件一样，有体积小、、稳定性好、工作可靠等优点。
可控硅调光电源的出现，使半导体技术从弱电领域进入了强电领域，成为工业、农业、交通运输、军事科研以至商业、民用电器等方面争相采用的元件。目前可控硅在自动控制、机电应用、工业电气及家电等方面都有广泛的应用。
结构原件
可控硅是P1N1P2N2四层三端结构元件，共有三个PN结，分析原理时，可以把它看作由一个PNP管和一个NPN管所组成，其等效图解如右图所示。双向可控硅：双向可控硅是一种硅可控整流器件，也称作双向晶闸管。这种器件在电路中能够实现交流电的无触点控制，以小电流控制大电流，具有无火花、动作快、寿命长、可靠性高以及简化电路结构等优点。从外表上看，双向可控硅和普通可控硅很相似，也有三个电。但是，它除了其中一个电G仍叫做控制外，另外两个电通常却不再叫做阳和阴，而统称为主电Tl和T2。它的符号也和普通可控硅不同，是把两个可控硅反接在一起画成的，如图2所示。它的型号，在我国一般用“3CTS”或“KS”表示；国外的资料也有用“TRIAC”来表示的。双向可控硅的规格、型号、外形以及电引脚排列依生产厂家不同而有所不同，但其电引脚多数是按T1、T2、G的顾序从左至右排列(观察时，电引脚向下，面对标有字符的一面)。市场上常见的几种塑封外形结构双向可控硅的外形及电引脚排列
晶闸管特性
为了能够直观地认识晶闸管的工作特性，大家先看这块示教板（图3）。晶闸管VS与小灯泡EL串联起来，通过开关S接在直流电源上。注意阳A是接电源的正，阴K接电源的负，控制G通过按钮开关SB接在1.5V直流电源的正（这里使用的是KP1型晶闸管，若采用KP5型，应接在3V直流电源的正）。晶闸管与电源的这种连接方式叫做正向连接，也就是说，给晶闸管阳和控制所加的都是正向电压。合上电源开关S，小灯泡不亮，说明晶闸管没有导通；再按一下按钮开关SB，给控制输入一个触发电压，小灯泡亮了，说明晶闸管导通了。这个演示实验给了我们什么启发呢?
这个实验告诉我们，要使晶闸管导通，一是在它的阳A与阴K之间外加正向电压，二是在它的控制G与阴K之间输入一个正向触发电压。晶闸管导通后，松开按钮开关，去掉触发电压，仍然维持导通状态。
晶闸管特点
“一触即发”。但是，如果阳或控制外加的是反向电压，晶闸管就不能导通。控制的作用是通过外加正向触发脉冲使晶闸管导通，却不能使它关断。那么，用什么方法才能使导通的晶闸管关断呢?使导通的晶闸管关断，可以断开阳电源（图3中的开关S）或使阳电流小于维持导通的小值（称为维持电流）。如果晶闸管阳和阴之间外加的是交流电压或脉动直流电压，那么，在电压过零时，晶闸管会自行关断。
可控硅(Silicon Controlled Rectifier) 简称SCR，是一种大功率电器元件，也称晶闸管。它具有体积小、、寿命长等优点。在自动控制系统中，可作为大功率驱动器件，实现用小功率控件控制大功率设备。它在交直流电机调速系统、调功系统及随动系统中得到了广泛的应用。
可控硅分单向可控硅和双向可控硅两种。双向可控硅也叫三端双向可控硅，简称TRIAC。双向可控硅在结构上相当于两个单向可控硅反向连接，这种可控硅具有双向导通功能。其通断状态由控制G决定。在控制G上加正脉冲(或负脉冲)可使其正向(或反向)导通。这种装置的优点是控制电路简单，没有反向耐压问题，因此特别适合做交流无触点开关使用。
大家使用的是单向晶闸管，也就是人们常说的普通晶闸管，它是由四层半导体材料组成的，有三个PN结，对外有三个电〔图2(a）〕：层P型半导体引出的电叫阳A，三层P型半导体引出的电叫控制G，四层N型半导体引出的电叫阴K。从晶闸管的电路符号〔图2(b）〕可以看到，它和二管一样是一种单方向导电的器件，关键是多了一个控制G，这就使它具有与二管不同的工作特性。
以硅单晶为基本材料的P1N1P2N2四层三端器件,起始于1957年，因为它的特性类似于真空闸流管，所以国际上通称为硅晶体闸流管，简称晶闸管T，又因为晶闸管初的在静止整流方面，所以又被称之为硅可控整流元件，简称为可控硅SCR。
在性能上，可控硅不仅具有单向导电性，而且还具有比硅整流元件（俗称"死硅")为可贵的可控性。它只有导通和关断两种状态。
可控硅能以毫安级电流控制大功率的机电设备，如果过此功率，因元件开关损耗显著增加，允许通过的平均电流相降低，此时，标称电流应降级使用。
可控硅的优点很多，例如：以小功率控制大功率，功率放大倍数高达几十万倍；反应快，在微秒级内开通、关断；无触点运行，无火花、无噪音；，成本低等等。
可控硅的弱点：静态及动态的过载能力较差；容易受干扰而误导通。
可控硅从外形上分类主要有：螺栓形、平板形和平底形。
可控硅元件的结构
不管可控硅的外形如何，它们的管芯都是由P型硅和N型硅组成的四层P1N1P2N2结构。见图1。它有三个PN结（J1、J2、J3），从J1结构的P1层引出阳A，从N2层引出阴级K，从P2层引出控制G，所以它是一种四层三端的半导体器件。
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