进口场效应管 TSS4N65F

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场效应管的分类
场效应管分为结型场效应管（JFET）和绝缘栅场效应管（MOS管）两大类。
按沟道材料型和绝缘栅型各分N沟道和P沟道两种；
按导电方式：耗尽型与增强型，结型场效应管均为耗尽型，绝缘栅型场效应管既有耗尽型的，也有增强型的。
场效应晶体管可分为结场效应晶体管和MOS场效应晶体管，而MOS场效应晶体管又分为N沟耗尽型和增强型；P沟耗尽型和增强型类。

场效应管（Field Effect Transistor）简称FET，是一种利用多数载流子导电的半导体器件。
它具有输入电阻高、噪声小、热稳定性好等优点。场效应管的源和漏分别与栅和源相连，栅通过正反馈控制源信号电流输出；漏为负反馈控制源信号电流输出。当外加电压时，由于多数载流子的扩散运动产生电场作用在源信号电流上形成反向饱和电流Irm，使漏的反向饱和电流Irf减小到零值而关断；同时栅压升高而使栅上的正向电压增大从而使漏的正向电压减小到零值而导通。

场效应管的特性：
1、输入阻抗高；
2、动态范围大；
3、功耗低；
4、开关速度快；
5、温度稳定性好；
6、安全性能好；
7、易于集成；
8、制造简单；
9、使用寿命长；
10、体积小；
11、重量轻；
12、性能稳定；
13、可靠性高；
14、应用广泛。
15、20世纪90年代以来场效晶体管已迅速发展成为大规模集成电路中的一种重要的无源元件。

场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写(FET)）简称场效应管。主要有两种类型：结型场效应管（junction FET—JFET)和金属 - 氧化物半导体场效应管（metal-oxide semiconductor FET，简称MOS-FET）。由多数载流子参与导电，也称为单型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高（107～1015Ω）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，现已成为双型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。 场效应管（FET）是利用控制输入回路的电场效应来控制输出回路电流的一种半导体器件，并以此命名。 由于它仅靠半导体中的多数载流子导电，又称单型晶体管。 FET 英文为Field Effect Transistor，简写成FET。
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