单N沟道场效应管 IRF830

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场效应管（Field Effect Transistor）简称FET，是一种利用多数载流子导电的半导体器件。
它具有输入电阻高、噪声小、热稳定性好等优点。场效应管的源和漏分别与栅和源相连，栅通过正反馈控制源信号电流输出；漏为负反馈控制源信号电流输出。当外加电压时，由于多数载流子的扩散运动产生电场作用在源信号电流上形成反向饱和电流Irm，使漏的反向饱和电流Irf减小到零值而关断；同时栅压升高而使栅上的正向电压增大从而使漏的正向电压减小到零值而导通。

场效应管（FET）是利用控制输入回路的电场效应来控制输出回路电流的一种半导体器件，并以此命名，场效应管[2]是常见的电子元件，属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高（10^8～10^9Ω）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点。

场效应管工作原理用一句话说，就是“漏-源间流经沟道的ID， 用栅与沟道间的pn结形成的反偏的栅电压进行控制”。更正确地说，ID流经通路的宽度，即沟道截面积，它是由pn结反偏的变化，产生耗尽层扩展变化控制的缘故。在VGS=0的非饱和区域，表示的过渡层的扩展因为不很大，根据漏-源间所加VDS的电场，源区域的某些电子被漏拉去，即从漏向源有电流ID流动。从门向漏扩展的过度层将沟道的一部分构成堵塞型，ID饱和。将这种状态称为夹断。这意味着过渡层将沟道的一部分阻挡，并不是电流被切断。 在过渡层由于没有电子、空穴的自由移动，在理想状态下几乎具有绝缘特性，通常电流也难流动。但是此时漏-源间的电场，实际上是两个过渡层接触漏与门下部附近，由于漂移电场拉去的高速电子通过过渡层。因漂移电场的强度几乎不变产生ID的饱和现象。其次，VGS向负的方向变化，让VGS=VGS(off)，此时过渡层大致成为覆盖全区域的状态。而且VDS的电场大部分加到过渡层上，将电子拉向漂移方向的电场，只有靠近源的很短部分，这更使电流不能流通。

场效应管的分类
场效应管分为结型场效应管（JFET）和绝缘栅场效应管（MOS管）两大类。
按沟道材料型和绝缘栅型各分N沟道和P沟道两种；
按导电方式：耗尽型与增强型，结型场效应管均为耗尽型，绝缘栅型场效应管既有耗尽型的，也有增强型的。
场效应晶体管可分为结场效应晶体管和MOS场效应晶体管，而MOS场效应晶体管又分为N沟耗尽型和增强型；P沟耗尽型和增强型类。
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