低功率MOS管 SI2302
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产品描述

可售卖地全国 类型MOS管 特点可控性强 售后完善 较小包装量 安装类型标准
mos管三个较分别是什么及判定方法
mos管的三个较分别是:G(栅较),D(漏较)s(源及),要求栅较和源及之间电压大于某一特定值,漏较和源及才能导通。
什么是MOS管?MOS管结构原理图解(应用_优势_三个较代表)
1.判断栅较G
MOS驱动器主要起波形和加强驱动的作用:假如MOS管的G信号波形不够陡峭,在点评切换阶段会造成大量电能损耗其是降低电路转换效率,MOS管发烧严峻,易热损坏MOS管GS间存在一定电容,假如G信号驱动能力不够,将严峻影响波形跳变的时间。
将G-S较短路,选择万用表的R×1档,黑表笔接S较,红表笔接D较,阻值应为几欧至十几欧。若发现某脚与其字两脚的电阻均呈无限大,并且交换表笔后仍为无限大,则证实此脚为G较,由于它和另外两个管脚是绝缘的。
2.判断源较S、漏较D
将万用表拨至R×1k档分别丈量三个管脚之间的电阻。用交换表笔法测两次电阻,其中电阻值较低(一般为几千欧至十几千欧)的一次为正向电阻,此时黑表笔的是S较,红表笔接D较。因为测试前提不同,测出的RDS(on)值比手册中给出的典型值要高一些。
3.丈量漏-源通态电阻RDS(on)
在源-漏之间有一个PN结,因此根据PN结正、反向电阻存在差异,可识别S较与D较。例如用500型万用表R×1档实测一只IRFPC50型VMOS管,RDS(on)=3.2W,大于0.58W(典型值)。
测试步骤:
MOS管的检测主要是判断MOS管漏电、短路、断路、放大。
其步骤如下:
假如有阻值没被测MOS管有漏电现象。
1、把连接栅较和源较的电阻移开,万用表红黑笔不变,假如移开电阻后表针慢慢逐步退回到高阻或无限大,则MOS管漏电,不变则完好
2、然后一根导线把MOS管的栅较和源较连接起来,假如指针立刻返回无限大,则MOS完好。
3、把红笔接到MOS的源较S上,黑笔接到MOS管的漏较上,好的表针指示应该是无限大。
4、用一只100KΩ-200KΩ的电阻连在栅较和漏较上,然后把红笔接到MOS的源较S上,黑笔接到MOS管的漏较上,这时表针指示的值一般是0,这时是下电荷通过这个电阻对MOS管的栅较充电,产生栅较电场,因为电场产生导致导电沟道致使漏较和源较导通,故万用表指针偏转,偏转的角度大,放电性越好。
MOS管(场效应管)的应用领域
1:工业领域、步进马达驱动、电钻工具、工业开关电源
2:新能源领域、光伏逆变、充电桩、无人机
3:交通运输领域、车载逆变器、汽车HID器、电动自行车
4:绿色照明领域、CCFL节能灯、LED照明电源、金卤灯镇流器
低功率MOS管
MOS管工作原理--MOS管简介MOS管,即在集成电路中绝缘性场效应管。MOS英文全称为Metal-Oxide-Semiconductor即金属-氧化物-半导体,确切的说,这个名字描述了集成电路中MOS管的结构,即:在一定结构的半导体器件上,加上二氧化硅和金属,形成栅较。MOS管的source和drain是可以对调的,都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下,两个区是一样的
低功率MOS管
MOS管驱动
跟双极性晶体管相比,一般认为使MOS管导通不需要电流,只要GS电压**一定的值,就可以了。这个很容易做到,但是,我们还需要速度。
在MOS管的结构中可以看到,在GS,GD之间存在寄生电容,而MOS管的驱动,实际上就是对电容的充放电。对电容的充电需要一个电流,因为对电容充电瞬间可以把电容看成短路,所以瞬间电流会比较大。选择/设计MOS管驱动时要注意的是可提供瞬间短路电流的大小。
*意的是,普遍用于驱动的NMOS,导通时需要是栅较电压大于源较电压。而驱动的MOS管导通时源较电压与漏较电压(VCC)相同,所以这时栅较电压要比VCC大4V或10V。如果在同一个系统里,要得到比VCC大的电压,就要的升压电路了。很多马达驱动器都集成了电荷泵,要注意的是应该选择合适的外接电容,以得到足够的短路电流去驱动MOS管。
上边说的4V或10V是常用的MOS管的导通电压,设计时当然需要有一定的余量。而且电压越高,导通速度越快,导通电阻也越小。现在也有导通电压更小的MOS管用在不同的领域里,但在12V汽车电子系统里,一般4V导通就够用了。
低功率MOS管
MOSFET管是FET的一种(另一种是JFET),可以被制构成增强型或耗尽型,P沟道或N沟道共4种类型,但理论应用的只需增强型的N沟道MOS管和增强型的P沟道MOS管,所以通常提到NMOS,或者PMOS指的就是这两种。场效应管分为结型场效应管(JFET)和绝缘栅场效应管(MOS管)两大类。
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