三管代理商 什么是三管

三管，全称应为半导体三管，也称双型晶体管、晶体三管，是一种控制电流的半导体器件。其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号，也用作无触点开关。

三管是半导体基本元器件之一，具有电流放大作用，是电子电路的核心元件。三管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结，两个PN结把整块半导体分成三部分，中间部分是基区，两侧部分是发射区和集电区，排列方式有PNP和NPN两种。

工作原理：

晶体三管（以下简称三管）按材料分有两种：锗管和硅管。而每一种又有NPN和PNP两种结构形式，但使用较多的是硅NPN和锗PNP两种三管，（其中，N是负的意思（代表英文中Negative），N型半导体在高纯度硅中加入磷取代一些硅原子，在电压 ** 下产生自由电子导电，而P是正的意思（Positive）是加入硼取代硅，产生大量空穴利于导电）。两者除了电源性不同外，其工作原理都是相同的。

三管是一种电流放大器件，但在实际使用中常常通过电阻将三管的电流放大作用转变为电压放大作用。

放大原理

1、发射区向基区发射电子

电源Ub经过电阻Rb加在发射结上，发射结正偏，发射区的多数载流子(自由电子）不断地越过发射结进入基区，形成发射电流Ie。同时基区多数载流子也向发射区扩散，但由于多数载流子浓度远发射区载流子浓度，可以不考虑这个电流，因此可以认为发射结主要是电子流。

2、基区中电子的扩散与复合

电子进入基区后，先在靠近发射结的附近密集，渐渐形成电子浓度差，在浓度差的作用下，促使电子流在基区中向集电结扩散，被集电结电场拉入集电区形成集电电流Ic。也有很小一部分电子（因为基区很薄）与基区的空穴复合，扩散的电子流与复合电子流之比例决定了三管的放大能力。

3、集电区收集电子

由于集电结外加反向电压很大，这个反向电压产生的电场力将阻止集电区电子向基区扩散，同时将扩散到集电结附近的电子拉入集电区从而形成集电主电流Icn。另外集电区的少数载流子（空穴）也会产生漂移运动，流向基区形成反向饱和电流，用Icbo来表示，其数值很小，但对温度却异常敏感。

结构类型：

晶体三管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结，两个PN结把整块半导体分成三部分，中间部分是基区，两侧部分是发射区和集电区，排列方式有PNP和NPN两种。

从三个区引出相应的电，分别为基b发射e和集电c。

发射区和基区之间的PN结叫发射结，集电区和基区之间的PN结叫集电结。基区很薄，而发射区较厚，杂质浓度大，PNP型三管发射区"发射"的是空穴，其移动方向与电流方向一致，故发射头向里；NPN型三管发射区"发射"的是自由电子，其移动方向与电流方向相反，故发射头向外。发射头指向也是PN结在正向电压下的导通方向。硅晶体三管和锗晶体三管都有PNP型和NPN型两种类型。

产品分类：

1.按材质分: 硅管、锗管

2.按结构分: NPN 、 PNP

3.按功能分: 开关管、功率管、达林顿管、光敏管等.

4. 按功率分：小功率管、中功率管、大功率管

5.按工作频率分：低频管、高频管、频管

6.按结构工艺分：合金管、平面管

7.按安装方式:插件三管、贴片三管

产品作用：

晶体三管具有电流放大作用，其实质是三管能以基电流微小的变化量来控制集电电流较大的变化量。这是三管较基本的和较重要的特性。我们将ΔIc/ΔIb的比值称为晶体三管的电流放大倍数，用符号“β”表示。电流放大倍数对于某一只三管来说是一个定值，但随着三管工作时基电流的变化也会有一定的改变。

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